781:
236:
161:
42:
705:
875:
InP is used in lasers, sensitive photodetectors and modulators in the wavelength window typically used for telecommunications, i.e., 1550 nm wavelengths, as it is a direct bandgap III-V compound semiconductor material. The wavelength between about 1510 nm and 1600 nm has the lowest
51:
1286:
Kranenburg, Ruben F.; Ou, Fang; Sevo, Petar; Petruzzella, Maurangelo; de Ridder, Renee; van
Klinken, Anne; Hakkel, Kaylee D.; van Elst, Don M. J.; van Veldhoven, René; Pagliano, Francesco; van Asten, Arian C.; Fiore, Andrea (2022-08-01).
917:
and MantiSpectra have already demonstrated the application of an integrated near-infrared spectral sensor for milk. In addition, it has been proven that this technology can also be applied to plastics and illicit
796:
at 400 °C., also by direct combination of the purified elements at high temperature and pressure, or by thermal decomposition of a mixture of a trialkyl indium compound and
784:
Indium phosphide nanocrystalline surface obtained by electrochemical etching and viewed under scanning electron microscope. Artificially colored in image post-processing.
1390:
2661:
1229:
Hakkel, Kaylee D.; Petruzzella, Maurangelo; Ou, Fang; van
Klinken, Anne; Pagliano, Francesco; Liu, Tianran; van Veldhoven, Rene P. J.; Fiore, Andrea (2022-01-10).
2665:
808:
The application fields of InP splits up into three main areas. It is used as the basis for optoelectronic components, high-speed electronics, and photovoltaics
2682:
2555:
3206:
2891:
2686:
1934:
2855:
2706:
718:
1391:
Indium
Phosphide: Transcending frequency and integration limits. Semiconductor TODAY Compounds&AdvancedSilicon • Vol. 1 • Issue 3 • September 2006
953:
Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), "The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry",
780:
825:
1145:
D’Agostino, Domenico; Carnicella, Giuseppe; Ciminelli, Caterina; Thijs, Peter; Veldhoven, Petrus J.; Ambrosius, Huub; Smit, Meint (2015-09-21).
1812:
3338:
687:
285:
1384:
1417:
620:
876:
attenuation available on optical fibre (about 0.2 dB/km). Further, O-band and C-band wavelengths supported by InP facilitate
3385:
1371:
1025:
3410:
1342:
1205:
532:
713:
3317:
2407:
562:
3405:
3322:
1805:
914:
683:
910:
Quick verification of traces of toxic substances in gases and liquids, including tap water, or surface contaminations.
1355:
250:
852:
725:
3312:
1129:
769:
1410:
757:
592:
447:
3395:
1798:
892:
InP can be used in photonic integrated circuits that can generate, amplify, control and detect laser light.
385:
193:
156:
3293:
3123:
2068:
844:
214:
111:
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2241:
1013:
848:
1062:
3380:
1480:
1403:
1289:"On-site illicit-drug detection with an integrated near-infrared spectral sensor: A proof of concept"
877:
3400:
3390:
3283:
3186:
2825:
2400:
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2225:
2130:
2063:
1982:
1730:
1692:
1197:
Principles of photonic integrated circuits : materials, device physics, guided wave design
855:
applications. It is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior
508:
118:
3222:
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403:
338:
202:
138:
87:
28:
1147:"Low-loss passive waveguides in a generic InP foundry process via local diffusion of zinc"
8:
3375:
3303:
3232:
3227:
3131:
3109:
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2008:
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2750:
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2003:
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1948:
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1537:
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1440:
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1310:
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1426:
1300:
1258:
1250:
1166:
1110:
Indium
Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier
962:
881:
864:
789:
765:
455:
414:
313:
1305:
1288:
913:
Spectroscopy for non-destructive control of product, such as food. Researchers of
182:
3354:
2516:
1847:
1769:
1532:
1133:
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2677:
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1924:
1752:
1716:
1522:
1254:
832:
696:
640:
1215:
3369:
2533:
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1109:
2424:
1314:
1272:
1195:
1180:
1039:"Optoelectronic devices and components – Latest research and news | Nature"
1171:
1146:
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966:
753:
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2416:
2277:
1829:
1347:
797:
607:
695:
Except where otherwise noted, data are given for materials in their
1395:
379:
1144:
117:
110:
860:
817:
346:
169:
749:
1228:
2385:
1372:
Extensive site on the physical properties of indium phosphide
899:
Air pollution control by real-time detection of gases (CO, CO
100:
41:
219:
1285:
820:
optoelectronic devices based other semiconductors, such as
372:
1709:
657:
634:
1473:
788:
Indium phosphide can be prepared from the reaction of
50:
887:
3367:
1378:Band structure and carrier concentration of InP.
952:
826:pseudomorphic heterojunction bipolar transistors
181:
859:with respect to the more common semiconductors
86:
2401:
1806:
1411:
895:Optical sensing applications of InP include
811:
688:Gallium indium arsenide antimonide phosphide
361:1,062 °C (1,944 °F; 1,335 K)
1231:"Integrated near-infrared spectral sensing"
2408:
2394:
1813:
1799:
1418:
1404:
234:
159:
137:
27:"InP" redirects here. For other uses, see
1304:
1262:
1170:
870:
201:
1820:
779:
230:
14:
3368:
1193:
150:
2389:
1794:
1399:
1343:CRC Handbook of Chemistry and Physics
936:
934:
932:
262:Key: GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
1425:
955:Journal of Materials Science Letters
828:that could operate at 604 GHz.
1028:. U.S. National Institute of Health
1016:. U.S. National Institute of Health
272:Key: GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
172:
24:
1115:
929:
915:Eindhoven University of Technology
684:Aluminium gallium indium phosphide
25:
3422:
1365:
888:Photovoltaics and optical sensing
756:. It has a face-centered cubic ("
1340:Haynes, William M., ed. (2016).
1333:
853:wavelength-division multiplexing
775:
703:
49:
40:
1279:
1222:
1187:
1138:
1103:
816:InP is used as a substrate for
803:
699:(at 25 °C , 100 kPa).
3386:Inorganic phosphorus compounds
2415:
1079:
1055:
1031:
1019:
1007:
995:
981:
946:
593:Occupational safety and health
13:
1:
1306:10.1016/j.talanta.2022.123441
922:
3411:Zincblende crystal structure
2434:
1194:Osgood, Richard Jr. (2021).
845:photonic integrated circuits
7:
1710:Organoindium(III) compounds
1339:
1067:www.semiconductoronline.com
1001:
940:
329:145.792 g/mol
10:
3427:
1255:10.1038/s41467-021-27662-1
991:. Ioffe Institute, Russia.
849:optical telecommunications
812:High-speed optoelectronics
26:
3406:IARC Group 2A carcinogens
3347:
3331:
3302:
3273:
3091:
2423:
2194:
1828:
1515:
1492:
1474:Organoindium(I) compounds
1433:
989:"Basic Parameters of InP"
693:
626:
590:
585:
482:
434:
306:
281:
246:
70:
62:
57:
48:
39:
1200:. Xiang Meng. Springer.
1063:"High Speed Electronics"
1014:Indium Phosphide at HSDB
680:Indium gallium phosphide
835:, making it useful for
822:indium gallium arsenide
764:, identical to that of
880:, reducing effects of
871:Optical Communications
824:. The devices include
785:
465: = 5.8687 Å
408:0.68 W/(cm·K) (300 K)
398:5400 cm/(V·s) (300 K)
269:InChI=1/In.P/rInP/c1-2
1385:InP conference series
1235:Nature Communications
1132:June 7, 2011, at the
882:intermodal dispersion
878:single-mode operation
783:
606:Toxic, hydrolysis to
473:Coordination geometry
65:Indium(III) phosphide
3396:III-V semiconductors
1822:Phosphorus compounds
1172:10.1364/OE.23.025143
851:industry, to enable
770:III-V semiconductors
404:Thermal conductivity
371:slightly soluble in
1247:2022NatCo..13..103H
1163:2015OExpr..2325143D
1157:(19): 25143–25157.
664:Aluminium phosphide
36:
3332:Quinary phosphides
1374:(Ioffe institute)
1112:. Azom. April 2005
967:10.1007/BF00626698
786:
726:Infobox references
627:Related compounds
34:
3363:
3362:
3268:
3267:
2383:
2382:
1788:
1787:
1784:
1783:
1488:
1487:
1346:(97th ed.).
1207:978-3-030-65193-0
1122:The Light Brigade
857:electron velocity
831:InP itself has a
762:crystal structure
734:Chemical compound
732:
731:
675:Related compounds
668:Gallium phosphide
649:Indium antimonide
615:Safety data sheet
563:Gibbs free energy
442:Crystal structure
394:Electron mobility
384:1.344 eV (300 K;
351:4.81 g/cm, solid
215:CompTox Dashboard
119:Interactive image
112:Interactive image
35:Indium phosphide
16:(Redirected from
3418:
3381:Indium compounds
3203:
3106:
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2431:
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2403:
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1620:
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1611:
1471:
1470:
1466:
1427:Indium compounds
1420:
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1406:
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978:
950:
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938:
865:gallium arsenide
790:white phosphorus
768:and most of the
738:Indium phosphide
716:
710:
707:
706:
574:
549:
522:
498:
483:Thermochemistry
456:Lattice constant
430:3.55 (632.8 nm)
428:3.1 (infrared);
415:Refractive index
314:Chemical formula
239:
238:
223:
221:
205:
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114:
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33:
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3425:
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3420:
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3417:
3416:
3415:
3401:III-V compounds
3391:Optoelectronics
3366:
3365:
3364:
3359:
3355:Ferrophosphorus
3343:
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2550:
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2205:
2195:Other compounds
2190:
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2181:
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