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Aluminium indium arsenide

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The toxicology of AlInAs has not been fully investigated. The dust is an irritant to skin, eyes and lungs. The environment, health and safety aspects of aluminium indium arsenide sources (such as
225:
Shenai-Khatkhate, D. V., Goyette, R. J., DiCarlo Jr., R. L., Dripps, G. (2004). "Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors".
602: 278: 2515: 1150: 751: 347: 2577: 190:
Vurgaftman, I., Meyer, J. R., Ram-Mohan, L. R. (2001). "Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys".
2499: 1545: 271: 2494: 1143: 111:= 0.42 eV). At a composition of approximately x = 0.64, the band gap transitions between direct and indirect. 2552: 2455: 1061: 819: 80: 2567: 264: 2465: 1040: 450: 2475: 2470: 2460: 2445: 846: 799: 2572: 1213: 1136: 1006: 726: 582: 2557: 1023: 874: 1538: 1335: 330: 224: 139: 52: 2271: 1463: 1425: 731: 385: 311: 306: 2252: 1906: 1889: 1383: 1315: 548: 523: 414: 301: 147: 2367: 1931: 1371: 1283: 1275: 986: 577: 540: 316: 234: 199: 115: 8: 2485: 2295: 2024: 1413: 1396: 1359: 1291: 1239: 1232: 682: 614: 569: 564: 532: 515: 499: 393: 287: 238: 203: 2562: 2379: 2361: 1977: 1798: 1732: 1531: 1299: 1178: 1090: 950: 706: 694: 670: 458: 442: 409: 377: 321: 96: 60: 2017: 1848: 1754: 1323: 1307: 1270: 1189: 1173: 966: 917: 897: 714: 654: 642: 487: 482: 466: 434: 426: 130:
transistors, where it serves to adjust the lattice constant differences between the
2436: 2304: 2074: 1967: 1946: 1865: 1841: 1771: 1739: 1674: 1628: 1582: 1260: 1183: 1159: 474: 246: 242: 207: 92: 48: 1982: 1960: 1810: 1696: 1502: 1265: 630: 340: 159: 104: 64: 1662: 1485: 1449: 1255: 862: 2546: 1827: 2531: 1679: 1562: 143: 189: 256: 211: 28: 1554: 1128: 75: 1854: 88: 67:(InAs). AlInAs refers generally to any composition of the alloy. 56: 40: 1573: 163: 135: 34: 167: 44: 1523: 126:
Aluminium indium arsenide is used e.g. as a buffer layer in
838: 339: 138:
channel. It can be also used to form alternate layers with
131: 127: 1442: 83:
of AlInAs on composition at room temperature (T = 300 K).
1206: 166:) and industrial hygiene monitoring studies of standard 70: 170:sources have been reported recently in a review. 2544: 146:; these structures are used in, e.g., broadband 153: 1539: 1144: 272: 95:of AlInAs alloys are between those of pure 59:. It can be considered as an alloy between 1546: 1532: 1151: 1137: 279: 265: 74: 286: 2545: 1527: 1132: 260: 185: 183: 1158: 71:Structural and Electronic Properties 47:compound with very nearly the same 13: 180: 14: 2589: 121: 891:Organoaluminium(III) compounds 247:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 218: 1: 1553: 173: 81:direct and indirect band gaps 2578:Zincblende crystal structure 1572: 116:zincblende crystal structure 7: 1443:Organoindium(III) compounds 154:Safety and toxicity aspects 10: 2594: 192:Journal of Applied Physics 2524: 2508: 2484: 2435: 2223: 1561: 1248: 1225: 1207:Organoindium(I) compounds 1166: 890: 837: 402: 370: 294: 227:Journal of Crystal Growth 21:indium aluminium arsenide 17:Aluminium indium arsenide 140:indium gallium arsenide 114:AlInAs shares the same 148:quantum cascade lasers 84: 78: 2553:III-V semiconductors 2568:Aluminium compounds 288:Aluminium compounds 239:2004JCrGr.272..816S 204:2001JAP....89.5815V 45:III-V semiconductor 134:substrate and the 118:as AlAs and InAs. 85: 79:Dependence of the 61:aluminium arsenide 2540: 2539: 2509:Quinary arsenides 2430: 2429: 2424: 2419: 2414: 2409: 2404: 2399: 2394: 2389: 2384: 2375: 2357: 2352: 2347: 2342: 2324: 2319: 2314: 2309: 2300: 2291: 2286: 2281: 2276: 2267: 2262: 2257: 2248: 2243: 2188: 2183: 2178: 2173: 2168: 2163: 2158: 2153: 2148: 2143: 2138: 2133: 2128: 2123: 2118: 2113: 2105: 2100: 2093: 2088: 2083: 2071: 2066: 2061: 2056: 2051: 2046: 2041: 2036: 2014: 2009: 2001: 1996: 1989: 1974: 1943: 1928: 1923: 1918: 1903: 1898: 1884: 1879: 1872: 1862: 1857: 1824: 1819: 1807: 1795: 1790: 1785: 1780: 1768: 1761: 1751: 1746: 1707: 1691: 1686: 1671: 1637: 1623: 1521: 1520: 1517: 1516: 1221: 1220: 1126: 1125: 1122: 1121: 366: 365: 212:10.1063/1.1368156 198:(11): 5815–5875. 2585: 2573:Indium compounds 2422: 2417: 2412: 2407: 2402: 2397: 2392: 2387: 2382: 2378: 2373: 2364: 2360: 2355: 2350: 2345: 2340: 2337: 2322: 2317: 2312: 2307: 2303: 2298: 2294: 2289: 2284: 2279: 2274: 2270: 2265: 2260: 2255: 2251: 2246: 2241: 2238: 2186: 2181: 2176: 2171: 2166: 2161: 2156: 2151: 2146: 2141: 2136: 2131: 2126: 2121: 2116: 2111: 2103: 2098: 2091: 2086: 2081: 2077: 2069: 2064: 2059: 2054: 2049: 2044: 2039: 2034: 2030: 2020: 2012: 2007: 1999: 1994: 1987: 1972: 1963: 1956: 1941: 1937: 1926: 1921: 1916: 1912: 1901: 1896: 1892: 1882: 1877: 1870: 1860: 1853: 1844: 1837: 1822: 1817: 1813: 1805: 1801: 1793: 1788: 1783: 1778: 1766: 1759: 1749: 1744: 1735: 1705: 1689: 1684: 1669: 1665: 1635: 1631: 1621: 1579: 1570: 1569: 1548: 1541: 1534: 1525: 1524: 1499: 1481: 1459: 1440: 1439: 1410: 1355: 1354: 1353: 1345: 1344: 1204: 1203: 1199: 1160:Indium compounds 1153: 1146: 1139: 1130: 1129: 946: 945: 944: 936: 935: 927: 926: 835: 834: 829: 337: 336: 281: 274: 267: 258: 257: 251: 250: 233:(1–4): 816–821. 222: 216: 215: 187: 128:metamorphic HEMT 107:(a = 0.606 nm, E 99:(a = 0.566 nm, E 93:lattice constant 49:lattice constant 43:), is a ternary 2593: 2592: 2588: 2587: 2586: 2584: 2583: 2582: 2558:III-V compounds 2543: 2542: 2541: 2536: 2520: 2504: 2480: 2431: 2380: 2372: 2368: 2366: 2362: 2335: 2305: 2296: 2272: 2253: 2236: 2075: 2029: 2025: 2018: 1961: 1955: 1951: 1947: 1936: 1932: 1911: 1907: 1890: 1842: 1836: 1832: 1828: 1811: 1799: 1733: 1700: 1663: 1629: 1581: 1578: 1574: 1557: 1552: 1522: 1513: 1510: 1506: 1497: 1493: 1489: 1484: 1479: 1475: 1471: 1467: 1462: 1457: 1453: 1448: 1438: 1433: 1429: 1421: 1417: 1408: 1404: 1400: 1395: 1391: 1387: 1379: 1375: 1367: 1363: 1352: 1349: 1348: 1347: 1343: 1340: 1339: 1338: 1336: 1331: 1327: 1319: 1311: 1303: 1295: 1287: 1279: 1244: 1217: 1202: 1197: 1193: 1188: 1162: 1157: 1127: 1118: 1114: 1110: 1106: 1102: 1098: 1094: 1085: 1081: 1077: 1073: 1069: 1065: 1056: 1052: 1048: 1044: 1035: 1031: 1027: 1018: 1014: 1010: 1002: 998: 994: 990: 982: 978: 974: 970: 962: 958: 954: 943: 940: 939: 938: 934: 931: 930: 929: 925: 922: 921: 920: 918: 913: 909: 905: 901: 886: 882: 878: 870: 866: 858: 854: 850: 833: 828: 824: 820: 815: 811: 807: 803: 795: 791: 787: 783: 779: 771: 767: 763: 759: 755: 747: 743: 739: 735: 722: 718: 710: 702: 698: 690: 686: 678: 674: 666: 662: 658: 650: 646: 638: 634: 626: 622: 618: 610: 606: 598: 594: 590: 586: 573: 560: 556: 552: 544: 536: 527: 519: 511: 507: 503: 495: 491: 478: 470: 462: 454: 446: 438: 430: 422: 418: 398: 389: 381: 362: 359: 355: 351: 341:Organoaluminium 335: 325: 290: 285: 255: 254: 223: 219: 188: 181: 176: 160:trimethylindium 156: 142:, which act as 124: 110: 103:= 2.16 eV) and 102: 73: 65:indium arsenide 55:, but a larger 39: 33: 12: 11: 5: 2591: 2581: 2580: 2575: 2570: 2565: 2560: 2555: 2538: 2537: 2535: 2534: 2528: 2526: 2522: 2521: 2519: 2518: 2512: 2510: 2506: 2505: 2503: 2502: 2497: 2491: 2489: 2482: 2481: 2479: 2478: 2473: 2468: 2463: 2458: 2453: 2448: 2442: 2440: 2433: 2432: 2428: 2427: 2425: 2420: 2415: 2410: 2405: 2400: 2395: 2390: 2385: 2376: 2370: 2358: 2353: 2348: 2343: 2338: 2333: 2331: 2328: 2327: 2325: 2320: 2315: 2310: 2301: 2292: 2287: 2282: 2277: 2268: 2263: 2258: 2249: 2244: 2239: 2234: 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Index

Al
In
As
III-V semiconductor
lattice constant
InGaAs
bandgap
aluminium arsenide
indium arsenide

direct and indirect band gaps
bandgap
lattice constant
AlAs
InAs
zincblende crystal structure
metamorphic HEMT
GaAs
GaInAs
indium gallium arsenide
quantum wells
quantum cascade lasers
trimethylindium
arsine
MOVPE


Bibcode
2001JAP....89.5815V
doi

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